![深圳市立德电控科技有限公司](http://img.czvv.com/logo/58ee9e0e7cce0cadd93e2f44/58ee9e0e7cce0cadd93e2f44.png)
深圳市立德电控科技有限公司 main business:电力设备、电子产品、控制装置产品的技术开发及购销;国内贸易(法律、行政法规、国务院决定规定在登记前须经批准的项目除外);货物及技术进出口(法律、行政法规禁止的项目除外;法律、行政法规限制的项目须取得许可后方可经营)^ and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 440307105693987
- 914403005827200749
- 存续(在营、开业、在册)
- 有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资)
- 2011年09月08日
- 张巍巍
- 650.000000
- 2011年09月08日 至 2041年09月08日
- 深圳市市场监督管理局
- 2016年10月27日
- 深圳市龙岗区龙岗街道宝龙工业城宝龙六路新中桥工业园E栋5楼
- 电力设备、电子产品、控制装置产品的技术开发及购销;国内贸易(法律、行政法规、国务院决定规定在登记前须经批准的项目除外);货物及技术进出口(法律、行政法规禁止的项目除外;法律、行政法规限制的项目须取得许可后方可经营)^
序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
1 | 11067709 | ![]() |
图形 | 2012-06-13 | 半导体;半导体器件;集成电路;控制板(电);运载工具用电池;晶体管(电子);芯片(集成电路);传感器;逆变器(电);整流器 | 查看详情 |
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN103311314B | 快恢复二极管及制作该二极管的方法 | 2016.08.03 | 一种快恢复二极管,包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳 |
2 | CN103379796A | 散热装置 | 2013.10.30 | 一种散热装置,包括散热板、进水外接端口、出水外接端口、一主流进水管道及一主流出水管道,所述进水外接端 |
3 | CN103311314A | 快恢复二极管及制作该二极管的方法 | 2013.09.18 | 一种快恢复二极管,包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳 |
4 | CN103311278A | 快恢复二极管及制作该二极管的方法 | 2013.09.18 | 一种快恢复二极管,包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳 |
5 | CN103298307A | 一种连接结构 | 2013.09.11 | 本发明提供一种连接结构。所述连接结构包括一外壳、一底板及一电子元件,所述外壳包括一顶板及四个侧板,其 |
6 | CN202855729U | 一种功率模块 | 2013.04.03 | 一种功率模块,包括两电极、外壳、陶瓷基板及铜基板,所述陶瓷基板与铜基板焊接在一起,所述外壳设置于铜基 |
7 | CN202818829U | 一种连接结构及功率模块 | 2013.03.20 | 一种连接结构,包括一外壳及一底板,所述外壳包括一顶板及四个侧板,其中至少两侧板上远离顶板的侧边上均设 |
8 | CN202601620U | 快恢复二极管 | 2012.12.12 | 一种快恢复二极管,包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳 |
9 | CN202601622U | 快恢复二极管 | 2012.12.12 | 一种快恢复二极管,包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳 |
10 | CN202585404U | IGBT模块 | 2012.12.05 | 本实用新型提供了一种IGBT模块,包括N片直接覆铜陶瓷基板(DBC)、N个IGBT单元、散热底板、外 |
11 | CN202551602U | 散热装置 | 2012.11.21 | 一种散热装置,包括散热板、进水外接端口、出水外接端口、一主流进水管道及一主流出水管道,所述进水外接端 |
12 | CN202476011U | 一种连接结构 | 2012.10.03 | 本实用新型提供一种连接结构。所述连接结构包括一外壳、一底板及一电子元件,所述外壳包括一顶板及四个侧板 |
13 | CN202475988U | 一种功率模块 | 2012.10.03 | 本实用新型提供一种功率模块,包括一外壳、一底板、一电子元件及一散热器,所述外壳设置于底板之上以形成一 |
14 | CN202442995U | 一种功率模块超声波检测装置 | 2012.09.19 | 本实用新型提供一种功率模块超声波检测装置,所述的功率模块包括基板和半导体芯片,所述的基板具有用以承载 |
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